Транзистор SQ3427EEV

SQ3427EEV - Транзистор полевой MOSFET структуры P

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: TSOP-6

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 5 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 60 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2.5 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 5.5 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.082 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 20.8 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 7 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 90 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц

Транзистор SQ3427EEV можно заменить на:

Нет элементов для замены