Транзистор SQ3460EV

SQ3460EV - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: TSOP-6

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 3.6 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 20 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 8 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 8 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.03 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 9.3 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 8 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 117 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц

Транзистор SQ3460EV можно заменить на:

Нет элементов для замены