Транзистор SQD50N03-09
SQD50N03-09 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 71 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 50 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.009 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 39.5 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 10 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 570 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор SQD50N03-09 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| SQD50N03-06P |
SMD |
N |
83 |
30 |
20 |
2.5 |
50 |
0.006 |
25.2 |
10 |
563 |
175 |
TO-252 |
| SQR50N03-06P |
SMD |
N |
83 |
30 |
20 |
2.5 |
50 |
0.006 |
25.2 |
10 |
563 |
175 |
TO-252 |