Транзистор SQD50N04-4M1
SQD50N04-4M1 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 136 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 40 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 50 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0041 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 70 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 5 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 500 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор SQD50N04-4M1 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| SQD100N04-3M6 |
SMD |
N |
136 |
40 |
20 |
3.5 |
100 |
0.0036 |
70 |
5 |
500 |
175 |
TO-252 |
| SQR50N04-3M8 |
SMD |
N |
136 |
40 |
20 |
3.5 |
50 |
0.0038 |
70 |
5 |
500 |
175 |
TO-252 |