Транзистор SQD50N10-8M9L

SQD50N10-8M9L - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: TO-252

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 136 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2.5 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 50 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0089 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 46 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 12 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 1441 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц

Транзистор SQD50N10-8M9L можно заменить на:

Нет элементов для замены