Транзистор SQJ840EP
SQJ840EP - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: PowerPAKSO-8L
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 46 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2.2 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 30 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0093 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 25.3 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 11 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 575 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор SQJ840EP можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| CSD18532KCS |
PTH |
N |
250 |
60 |
20 |
2.2 |
100 |
0.0042 |
21 |
5.3 |
470 |
175 |
TO-220 |
| CSD18542KCS |
PTH |
N |
200 |
60 |
20 |
2.2 |
170 |
0.004 |
21 |
5 |
570 |
175 |
TO-220 |