Транзистор SQS405ENW
SQS405ENW - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: PowerPAK1212-8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 39 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 12 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 8 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 16 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.02 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 49.8 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 29 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 840 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор SQS405ENW можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AM40P03-20D |
SMD |
P |
50 |
30 |
25 |
1 |
41 |
0.02 |
31 |
9 |
408 |
175 |
TO-252 |
| AM50P04-16PCFM |
PTH |
P |
60 |
40 |
20 |
1 |
50 |
0.016 |
28 |
10 |
256 |
175 |
TO-220CFM |
| AM90P06-20P |
PTH |
P |
300 |
60 |
20 |
1 |
90 |
0.02 |
22 |
9 |
216 |
175 |
TO-220AB |
| SQS405EN |
SMD |
P |
39 |
12 |
8 |
1 |
16 |
0.02 |
49.8 |
29 |
840 |
175 |
PowerPAK1212-8 |