Транзистор SQS840EN

SQS840EN - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: PowerPAK1212-8

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 33 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 40 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2.5 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 12 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.02 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 15 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 9.4 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 131 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц

Транзистор SQS840EN можно заменить на:

Нет элементов для замены