Транзистор SRADM1004

SRADM1004 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: SMD2

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 250 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 250 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 54 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.03 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 180 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 80 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 696 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор SRADM1004 можно заменить на:

Нет элементов для замены