Транзистор SRADM1007
SRADM1007 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SMD0.5
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 75 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 12.4 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.13 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 42 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 25 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 120 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор SRADM1007 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| KDB2570 |
SMD |
N |
93 |
150 |
20 |
4 |
22 |
0.08 |
40 |
5 |
106 |
175 |
TO-263 |
| PSMN027-100BS |
SMD |
N |
103 |
100 |
20 |
4 |
37 |
0.0268 |
30 |
11.4 |
115 |
175 |
D2PAK |
| PSMN034-100BS |
SMD |
N |
86 |
100 |
20 |
4 |
32 |
0.0345 |
23.8 |
10 |
94 |
175 |
D2PAK |
| PSMN040-100MSE |
SMD |
N |
91 |
100 |
20 |
4 |
30 |
0.0366 |
30 |
14.1 |
110 |
175 |
LFPAK33 |
| SRADM1005 |
SMD |
N |
75 |
250 |
20 |
4 |
12.4 |
0.13 |
42 |
25 |
120 |
150 |
SMD0.5 |
| SRADM1006 |
PTH |
N |
75 |
100 |
20 |
4 |
12.4 |
0.13 |
42 |
25 |
120 |
150 |
TO-257 |
| SRADM1008 |
PTH |
N |
75 |
250 |
20 |
4 |
12.4 |
0.13 |
42 |
25 |
120 |
150 |
TO-257 |