Транзистор SRC4N65DTR
SRC4N65DTR - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 52 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 700 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4.49 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 4 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.935 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 13.2 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 11.8 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 298 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор SRC4N65DTR можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| SRC4N65D1 |
PTH |
N |
52 |
700 |
30 |
4.49 |
4 |
0.935 |
13.2 |
11.8 |
298 |
150 |
TO-251 |
| SRC4N65TC |
PTH |
N |
78 |
700 |
30 |
4.49 |
4 |
0.935 |
13.2 |
11.8 |
298 |
150 |
TO-220C |