Транзистор SRM4N70

SRM4N70 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
• Корпус: TO-251

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 50 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 700 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3.9 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 4 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 3.23 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: -
• Время нарастания импульса открытия, Tr: -
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 48 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор SRM4N70 можно заменить на:

Нет элементов для замены