Транзистор SRM7N65D1-E1
SRM7N65D1-E1 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-251
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 52 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 650 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3.6 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 7 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 1.4 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 95 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор SRM7N65D1-E1 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| SRM7N65DTR-E1 |
SMD |
N |
52 |
650 |
30 |
3.6 |
7 |
1.4 |
- |
- |
95 |
150 |
TO-252 |
| SRM7N65TC-E1 |
PTH |
N |
75 |
650 |
30 |
3.6 |
7 |
1.4 |
- |
- |
95 |
150 |
TO-220C |