Транзистор SSF5N60G

SSF5N60G - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
• Корпус: IPAK

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 126 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 600 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 5 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 2.15 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: -
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 6.8 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 66.65 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор SSF5N60G можно заменить на:

Нет элементов для замены