Транзистор SSF7509J7
SSF7509J7 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: PQFN5X6
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 98 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 80 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 70 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.009 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 93.6 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 15.2 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 352 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор SSF7509J7 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| SSF7509 |
PTH |
N |
165 |
80 |
20 |
- |
80 |
0.008 |
93.6 |
15.2 |
330 |
150 |
TO-220 |
| SSF7509A |
SMD |
N |
165 |
80 |
20 |
- |
80 |
0.008 |
93.6 |
15.2 |
352 |
175 |
D2PAK |
| SSF8509 |
PTH |
N |
200 |
85 |
20 |
- |
80 |
0.009 |
93.6 |
15.2 |
352 |
175 |
TO-220 |