Транзистор SSF7NS65UD
SSF7NS65UD - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: DPAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 42 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 650 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 7 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.75 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 6 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 24 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор SSF7NS65UD можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| SSF7NS65UG |
PTH |
N |
42 |
650 |
30 |
- |
7 |
0.75 |
- |
6 |
24 |
150 |
IPAK |