Транзистор SSH8N70
SSH8N70 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-3P
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 190 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 700 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 8 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 1.4 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 55 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 200 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 210 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор SSH8N70 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AOT11N70 |
PTH |
N |
271 |
700 |
30 |
4.5 |
11 |
0.87 |
37.5 |
74 |
146 |
150 |
TO-220 |
| FMH09N90E |
PTH |
N |
205 |
900 |
30 |
4.5 |
9 |
1.4 |
50 |
30 |
150 |
150 |
TO-3PQ |
| SSH8N80 |
PTH |
N |
190 |
800 |
30 |
4.5 |
8 |
1.4 |
55 |
200 |
210 |
150 |
TO-3P |