Справочник электронных компонентов

Транзистор SSI4N60B

SSI4N60B - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: I2PAK

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 100 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 600 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 4 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 2.5 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 22 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: 55 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 65 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор SSI4N60B можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
AFN04N60T220T	PTH	N	100	600	30	4	4	2.4	8.16	26.2	57	150	TO-220
FQB5N60CTM	SMD	N	100	600	30	4	4.5	2.5	15	42	55	150	D2PAK
FQB6N60CTM	SMD	N	125	600	30	4	5.5	2	16	45	65	150	D2PAK
FQI5N60CTU	PTH	N	100	600	30	4	4.5	2.5	15	42	55	150	I2PAK
FQI6N60CTU	PTH	N	125	600	30	4	5.5	2	16	45	65	150	I2PAK
SSW4N60B	SMD	N	100	600	30	4	4	2.5	22	55	65	150	D2PAK