Транзистор SSM3J112TU

SSM3J112TU - Транзистор полевой MOSFET структуры P

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: UFM

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 0.8 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1.8 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 1.1 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.39 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: -
• Время нарастания импульса открытия, Tr: -
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор SSM3J112TU можно заменить на:

Нет элементов для замены