Транзистор SSM3K56MFV
SSM3K56MFV - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: VESM
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 0.15 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 20 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 8 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 0.8 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.235 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 1 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 16 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор SSM3K56MFV можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| SSM3K56CT |
SMD |
N |
0.5 |
20 |
8 |
1 |
0.8 |
0.235 |
1 |
- |
16 |
150 |
CST3 |
| SSM3K56FS |
SMD |
N |
0.15 |
20 |
8 |
1 |
0.8 |
0.235 |
1 |
- |
16 |
150 |
SSM |