Транзистор SSM4K27CT
SSM4K27CT - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: CST4
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 0.1 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 20 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 12 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1.1 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 0.5 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.205 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор SSM4K27CT можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| CSD17381F4 |
SMD |
N |
0.5 |
30 |
12 |
1.1 |
3.1 |
0.109 |
1040 |
1.4 |
44 |
150 |
0402 |
| CSD17484F4 |
SMD |
N |
0.5 |
30 |
12 |
1.1 |
3 |
0.121 |
920 |
1 |
44 |
150 |
0402 |
| SSM3K116TU |
SMD |
N |
0.5 |
30 |
12 |
1.1 |
2.2 |
0.1 |
- |
- |
- |
150 |
UFM |