Транзистор SSM60T03GJ
SSM60T03GJ - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-251
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 44 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 45 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.012 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 11.6 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 57.5 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 200 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор SSM60T03GJ можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| SSM60T03GH |
SMD |
N |
44 |
30 |
20 |
3 |
45 |
0.012 |
11.6 |
57.5 |
200 |
175 |
TO-252 |
| SSM60T03GS |
SMD |
N |
44 |
30 |
20 |
3 |
45 |
0.012 |
11.6 |
57.5 |
200 |
175 |
TO-263 |