Транзистор SSM9915GJ
SSM9915GJ - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-251
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 26 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 20 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 10 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 20 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.05 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 7.5 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 49.5 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 126 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор SSM9915GJ можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AM40N04-30DE |
SMD |
N |
50 |
40 |
20 |
1 |
33 |
0.032 |
5 |
5 |
94 |
175 |
TO-252 |