Транзистор SSM9916GJ
SSM9916GJ - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-251
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 50 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 18 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 12 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 35 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.025 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 17.5 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 98 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 258 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор SSM9916GJ можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AM50N03-12D |
SMD |
N |
50 |
30 |
20 |
1 |
51 |
0.013 |
15 |
12 |
249 |
175 |
TO-252 |
| AM50N06-20D |
SMD |
N |
50 |
60 |
20 |
1 |
41 |
0.02 |
16 |
12 |
130 |
175 |
TO-252 |
| SSM9916GH |
SMD |
N |
50 |
18 |
12 |
1 |
35 |
0.025 |
17.5 |
98 |
258 |
150 |
TO-252 |
| SUD35N05-26L |
SMD |
N |
50 |
55 |
20 |
1 |
35 |
0.02 |
10.5 |
18 |
185 |
175 |
TO-252 |