Транзистор SSM9980GJ
SSM9980GJ - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-251
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 41 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 80 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 25 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 21 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.045 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 18 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 20 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 135 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор SSM9980GJ можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| SSM9980GH |
SMD |
N |
41 |
80 |
25 |
3 |
21 |
0.045 |
18 |
20 |
135 |
150 |
TO-252 |