Справочник электронных компонентов

Транзистор SSP7N80A

SSP7N80A - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: TO-220

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 160 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 800 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: -
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
Максимальный постоянный ток стока, Id: 7 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 1.8 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 67 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: -
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 1500 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор SSP7N80A можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
AP09N90CW-HF	PTH	N	208	900	30	-	7.6	1.4	50.7	16	516	150	TO-3P
SM8A01NSF	PTH	N	208	800	30	-	13	0.38	55	45	745	150	TO-220
SM8A01NSW	PTH	N	208	800	30	4.5	13	0.38	55	45	745	150	TO-247
SM8A05NSF	PTH	N	166	800	30	4.5	10	0.58	37	38	500	150	TO-220
SM9A01NSF	PTH	N	192	900	30	4.5	12	0.48	56	29	950	150	TO-220
SSH7N80A	PTH	N	200	800	-	-	7	1.8	67	-	1500	150	TO-3P
SSM09N90CGW	PTH	N	208	900	30	4	7.6	1.4	50.7	16	516	150	TO-247