Транзистор SSR1N60B
SSR1N60B - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: DPAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 28 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 600 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 0.9 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 12 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 5.9 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 45 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 18 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор SSR1N60B можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| CS1N60B3R |
PTH |
N |
32 |
600 |
30 |
4 |
1.5 |
8 |
5.2 |
5 |
18 |
150 |
TO-251 |
| CS1N60C3H |
PTH |
N |
30 |
600 |
30 |
4 |
1 |
10.5 |
4.7 |
5 |
14.5 |
150 |
TO-251 |
| CS1N65B3 |
PTH |
N |
32 |
650 |
30 |
4 |
1.5 |
9.5 |
5.3 |
4.5 |
17 |
150 |
TO-251 |
| L1N60I |
PTH |
N |
28 |
600 |
30 |
4 |
1 |
11.5 |
5.2 |
9.9 |
16 |
150 |
TO-251 |
| SSR1N60BTM |
SMD |
N |
28 |
600 |
30 |
4 |
0.9 |
12 |
5.9 |
45 |
18 |
150 |
DPAK |
| SSU1N60B |
PTH |
N |
28 |
600 |
30 |
4 |
0.9 |
12 |
5.9 |
45 |
18 |
150 |
IPAK |