Справочник электронных компонентов

Транзистор SSS4N80A

SSS4N80A - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: TO-220F

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 40 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 800 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: -
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
Максимальный постоянный ток стока, Id: 2.5 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 4 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 32 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: -
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 700 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор SSS4N80A можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
CEB1186	SMD	N	166	800	30	-	6	2.3	29.4	46	152	150	TO-263
CEP1186	PTH	N	166	800	30	-	6	2.3	29.4	46	152	150	TO-220
MMD80R900PRH	SMD	N	75.8	800	30	4	6	0.9	17.6	22.4	508	150	TO-252
PJZ9NA90	PTH	N	240	900	30	4	9	1.4	31	31	143	150	TO-3PL
R8005ANX	PTH	N	40	800	30	5	5	2.08	21	17	250	150	TO-220FM
SSI4N80A	PTH	N	120	800	-	-	4	4	32	-	700	150	I2PAK
SSP4N80A	PTH	N	120	800	-	-	4	4	32	-	700	150	TO-220
SSW4N80A	SMD	N	120	800	-	-	4	4	32	-	700	150	TO-263