Транзистор SSU2N60B
SSU2N60B - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: IPAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 44 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 600 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 1.8 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 5 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 12.5 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 50 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 35 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор SSU2N60B можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| FQU2N60CTU |
PTH |
N |
44 |
600 |
30 |
4 |
1.9 |
4.7 |
8.5 |
25 |
20 |
150 |
IPAK |
| SSF2N60D1 |
SMD |
N |
48 |
600 |
30 |
4 |
2 |
4.7 |
7 |
25 |
20 |
150 |
TO-252 |
| SSI2N60B |
PTH |
N |
54 |
600 |
30 |
4 |
2 |
5 |
12.5 |
50 |
35 |
150 |
I2PAK |
| SSR2N60B |
SMD |
N |
44 |
600 |
30 |
4 |
1.8 |
5 |
12.5 |
50 |
35 |
150 |
DPAK |
| SSW2N60B |
SMD |
N |
54 |
600 |
30 |
4 |
2 |
5 |
12.5 |
50 |
35 |
150 |
D2PAK |
| WFD2N60B |
SMD |
N |
46 |
600 |
30 |
4 |
2 |
5 |
9 |
23 |
15 |
150 |
TO-252 |
| WFU2N60B |
PTH |
N |
46 |
600 |
30 |
4 |
2 |
5 |
9 |
23 |
15 |
150 |
TO-251 |