Справочник электронных компонентов

Транзистор SSW4N80AS

SSW4N80AS - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: TO-263

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 130 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 800 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: -
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
Максимальный постоянный ток стока, Id: 4.5 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 3 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 40 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: -
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 880 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор SSW4N80AS можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
BFC46	PTH	N	180	800	-	-	5.5	2.5	38	-	790	150	TO-247
SM8A03NSW	PTH	N	138	800	30	4.5	8	0.78	27.5	28	380	150	TO-247
SSH4N80AS	PTH	N	140	800	-	-	4.5	3	40	-	880	150	TO-3P
SSI4N80AS	PTH	N	130	800	-	-	4.5	3	40	-	880	150	I2PAK
SSP4N80AS	PTH	N	130	800	-	-	4.5	3	40	-	880	150	TO-220