Справочник электронных компонентов

Транзистор SSW5N80A

SSW5N80A - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: TO-263

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 140 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 800 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: -
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
Максимальный постоянный ток стока, Id: 5 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 2.2 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 52 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: -
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 1100 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор SSW5N80A можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
AP09N90CW-HF	PTH	N	208	900	30	-	7.6	1.4	50.7	16	516	150	TO-3P
SM8A05NSF	PTH	N	166	800	30	4.5	10	0.58	37	38	500	150	TO-220
SSH5N80A	PTH	N	160	800	-	-	5	2.2	52	-	1105	150	TO-3P
SSI5N80A	PTH	N	140	800	-	-	5	2.2	52	-	1100	150	I2PAK
SSM09N90CGW	PTH	N	208	900	30	4	7.6	1.4	50.7	16	516	150	TO-247
SSP5N80A	PTH	N	140	800	-	-	5	2.2	52	-	1100	150	TO-220