Транзистор STB10NK60Z-1
STB10NK60Z-1 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: I2PAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 115 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 600 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 10 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.75 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 50 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 20 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 156 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор STB10NK60Z-1 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| STB10NK60Z |
SMD |
N |
115 |
600 |
30 |
4.5 |
10 |
0.75 |
50 |
20 |
156 |
150 |
D2PAK |
| STB10NK60ZT4 |
SMD |
N |
115 |
600 |
30 |
4.5 |
10 |
0.75 |
50 |
20 |
156 |
150 |
D2PAK |