Справочник электронных компонентов

Транзистор STB120NF10T4

STB120NF10T4 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: D2PAK

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 312 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 110 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0105 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 172 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: 90 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 785 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц

Транзистор STB120NF10T4 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
AOB410L	SMD	N	333	100	25	4	150	0.0062	107	22	594	175	TO-263
AOT410L	PTH	N	333	100	25	4	150	0.0065	107	22	594	175	TO-220
AOW410	PTH	N	333	100	25	4	150	0.0065	107	22	594	175	TO-262
IRFB4110GPBF	PTH	N	370	100	20	4	120	0.0045	150	67	670	175	TO-220AB
IRFB4110PBF	PTH	N	370	100	20	4	120	0.0045	150	67	670	175	TO-220AB
IRFS4010-7PPBF	SMD	N	380	100	20	4	190	0.004	150	56	650	175	TO-263-CA7
IRFS4010PBF	SMD	N	375	100	20	4	180	0.0047	143	86	660	175	TO-263
IRFSL4010PBF	PTH	N	375	100	20	4	180	0.0047	143	86	660	175	TO-262
RU1H130Q	PTH	N	312	100	25	4	130	0.009	130	86	630	175	TO-247