Транзистор STB14NM50N
STB14NM50N - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: D2PAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 90 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 500 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 25 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 12 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.29 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 27 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор STB14NM50N можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| STB18N60M2 |
SMD |
N |
110 |
600 |
25 |
4 |
13 |
0.28 |
21.5 |
9 |
40 |
150 |
D2PAK |
| STD16N50M2 |
SMD |
N |
110 |
500 |
25 |
4 |
13 |
0.28 |
19.5 |
7.6 |
44 |
150 |
DPAK |
| STP14NM50N |
PTH |
N |
90 |
500 |
25 |
4 |
12 |
0.29 |
27 |
- |
- |
150 |
TO-220 |
| STP16N50M2 |
PTH |
N |
110 |
500 |
25 |
4 |
13 |
0.28 |
19.5 |
7.6 |
44 |
150 |
TO-220 |
| STP18N60M2 |
PTH |
N |
110 |
600 |
25 |
4 |
13 |
0.28 |
21.5 |
9 |
40 |
150 |
TO-220 |
| STW18N60M2 |
PTH |
N |
110 |
600 |
25 |
4 |
13 |
0.28 |
21.5 |
9 |
40 |
150 |
TO-247 |