Транзистор STB16N65M5
STB16N65M5 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: D2PAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 90 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 650 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 25 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 12 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.299 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 31 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор STB16N65M5 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| STB18N65M5 |
SMD |
N |
110 |
650 |
25 |
5 |
15 |
0.22 |
31 |
7 |
32 |
150 |
D2PAK |
| STD16N65M5 |
SMD |
N |
90 |
650 |
25 |
5 |
12 |
0.299 |
31 |
- |
- |
150 |
DPAK |
| STD18N65M5 |
SMD |
N |
110 |
650 |
25 |
5 |
15 |
0.22 |
31 |
7 |
32 |
150 |
DPAK |
| STI16N65M5 |
PTH |
N |
90 |
650 |
25 |
5 |
12 |
0.299 |
31 |
- |
- |
150 |
I2PAK |
| STI18N65M5 |
PTH |
N |
110 |
650 |
25 |
5 |
15 |
0.22 |
31 |
7 |
32 |
150 |
I2PAK |
| STL16N65M5 |
SMD |
N |
90 |
650 |
25 |
5 |
12 |
0.299 |
31 |
- |
- |
150 |
PowerFLAT8X8HV |
| STP16N65M5 |
PTH |
N |
90 |
650 |
25 |
5 |
12 |
0.299 |
31 |
- |
- |
150 |
TO-220 |
| STP18N65M5 |
PTH |
N |
110 |
650 |
25 |
5 |
15 |
0.22 |
31 |
7 |
32 |
150 |
TO-220 |
| STU16N65M5 |
PTH |
N |
90 |
650 |
25 |
5 |
12 |
0.299 |
31 |
- |
- |
150 |
IPAK |
| STW16N65M5 |
PTH |
N |
90 |
650 |
25 |
5 |
12 |
0.299 |
31 |
- |
- |
150 |
TO-247 |
| STW18N65M5 |
PTH |
N |
110 |
650 |
25 |
5 |
15 |
0.22 |
31 |
7 |
32 |
150 |
TO-247 |