Справочник электронных компонентов

Транзистор STB18N55M5

STB18N55M5 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: D2PAK

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 90 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 550 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 25 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 13 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.24 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 31 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: -
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор STB18N55M5 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
STB18N65M5	SMD	N	110	650	25	5	15	0.22	31	7	32	150	D2PAK
STB24N60DM2	SMD	N	150	600	25	5	18	0.2	29	8.7	56	150	D2PAK
STD18N55M5	SMD	N	90	550	25	5	13	0.24	31	-	-	150	DPAK
STD18N65M5	SMD	N	110	650	25	5	15	0.22	31	7	32	150	DPAK
STI18N65M5	PTH	N	110	650	25	5	15	0.22	31	7	32	150	I2PAK
STL18N55M5	SMD	N	90	550	25	5	13	0.24	31	-	-	150	PowerFLAT8X8HV
STP18N55M5	PTH	N	90	550	25	5	13	0.24	31	-	-	150	TO-220
STP18N65M5	PTH	N	110	650	25	5	15	0.22	31	7	32	150	TO-220
STP24N60DM2	PTH	N	150	600	25	5	18	0.2	29	8.7	56	150	TO-220
STW18N65M5	PTH	N	110	650	25	5	15	0.22	31	7	32	150	TO-247
STW24N60DM2	PTH	N	150	600	25	5	18	0.2	29	8.7	56	150	TO-247
TK20J60U	PTH	N	190	600	30	5	20	0.19	27	-	-	150	SC-65