Транзистор STB200NF03T4
STB200NF03T4 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: D2PAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 300 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 120 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0036 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 113 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 195 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 1750 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор STB200NF03T4 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| PSMN3R3-80BS |
SMD |
N |
306 |
80 |
20 |
4 |
120 |
0.0035 |
104 |
29 |
701 |
175 |
D2PAK |
| SM6008NF |
PTH |
N |
300 |
60 |
25 |
4 |
210 |
0.0034 |
100 |
25 |
1300 |
175 |
TO-220 |
| SM6008NFP |
PTH |
N |
300 |
60 |
25 |
4 |
210 |
0.0034 |
100 |
25 |
1300 |
175 |
TO-220FP |
| SM6008NSG |
SMD |
N |
300 |
60 |
25 |
4 |
210 |
0.0034 |
100 |
25 |
1300 |
175 |
TO-263 |
| STB200NF03-1 |
PTH |
N |
300 |
30 |
20 |
4 |
120 |
0.0036 |
113 |
195 |
1750 |
175 |
I2PAK |
| STV200N55F3 |
SMD |
N |
300 |
55 |
20 |
4 |
200 |
0.0025 |
100 |
150 |
1450 |
175 |
PowerSO-10 |