Справочник электронных компонентов

Транзистор STB24NM60N

STB24NM60N - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: D2PAK

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 125 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 600 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 17 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.19 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 46 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: -
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор STB24NM60N можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
FCA22N60N	PTH	N	205	600	30	4	22	0.165	45	-	-	150	TO-3PN
FCH22N60N	PTH	N	205	600	30	4	22	0.165	45	-	-	150	TO-247,TO-3P,TO-3PF
FCP22N60N	PTH	N	205	600	30	4	22	0.165	45	-	-	150	TO-220
STI24NM60N	PTH	N	125	600	30	4	17	0.19	46	-	-	150	I2PAK
STP24NM60N	PTH	N	125	600	30	4	17	0.19	46	-	-	150	TO-220
STW24NM60N	PTH	N	125	600	30	4	17	0.19	46	-	-	150	TO-247