Транзистор STB32NM50N
STB32NM50N - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: D2PAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 190 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 500 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 25 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 22 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.13 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 62.5 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 9.5 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 179 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор STB32NM50N можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| STP32NM50N |
PTH |
N |
190 |
500 |
25 |
4 |
22 |
0.13 |
62.5 |
9.5 |
179 |
150 |
TO-220 |
| STW32NM50N |
PTH |
N |
190 |
500 |
25 |
4 |
22 |
0.13 |
62.5 |
9.5 |
179 |
150 |
TO-247 |