Справочник электронных компонентов

Транзистор STB34NM60N

STB34NM60N - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: D2PAK

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 210 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 600 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 25 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 29 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.105 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 84 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: 34 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 173 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор STB34NM60N можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
STB40N60M2	SMD	N	250	600	25	4	34	0.088	57	13.5	117	150	D2PAK
STI40N65M2	PTH	N	250	650	25	4	32	0.099	56.5	10	102	150	I2PAK
STP40N60M2	PTH	N	250	600	25	4	34	0.088	57	13.5	117	150	TO-220
STP40N65M2	PTH	N	250	650	25	4	32	0.099	56.5	10	102	150	TO-220
STW40N60M2	PTH	N	250	600	25	4	34	0.088	57	13.5	117	150	TO-247
STW40N65M2	PTH	N	250	650	25	4	32	0.099	56.5	10	102	150	TO-247
STW48N60M2	PTH	N	300	600	25	4	42	0.07	70	17	143	150	TO-247
STW48N60M2-4	PTH	N	300	600	25	4	42	0.07	70	17	143	150	TO-247-4