Транзистор STB50NF25
STB50NF25 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: D2PAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 160 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 250 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 45 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.069 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 68 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор STB50NF25 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IXTK62N25 |
PTH |
N |
390 |
250 |
20 |
4 |
62 |
0.035 |
67 |
- |
- |
150 |
TO-264 |
| STP50NF25 |
PTH |
N |
160 |
250 |
20 |
4 |
45 |
0.069 |
68 |
- |
- |
150 |
TO-220 |