Транзистор STB55NF03L-1

STB55NF03L-1 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: D2PAK

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 80 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 16 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 55 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.013 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 20 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 400 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 435 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц

Транзистор STB55NF03L-1 можно заменить на:

Нет элементов для замены