Транзистор STB55NF06T4
STB55NF06T4 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: D2PAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 110 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 60 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 50 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.018 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 44.5 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 50 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 300 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор STB55NF06T4 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| BUK7Y14-80E |
SMD |
N |
147 |
80 |
20 |
4 |
65 |
0.014 |
44.8 |
13.2 |
240 |
175 |
LFPAK56 |
| MM68N06K |
PTH |
N |
115 |
60 |
20 |
4 |
68 |
0.018 |
20 |
45.1 |
158 |
175 |
TO-220 |
| PSMN8R7-80BS |
SMD |
N |
170 |
80 |
20 |
4 |
90 |
0.0087 |
44 |
26 |
296 |
175 |
D2PAK |