Справочник электронных компонентов

Транзистор STB5N62K3

STB5N62K3 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: D2PAK

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 70 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 620 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4.5 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 4.2 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 1.6 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 26 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: -
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор STB5N62K3 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
HFD8N65U	SMD	N	98	650	30	4.5	6	1.4	22	50	100	150	DPAK
HFD8N70U	SMD	N	98	700	30	4.5	6	1.6	22	50	100	150	DPAK
HFP8N65S	PTH	N	147	650	30	4.5	7.2	1.4	22	61	105	150	TO-220
HFP8N65U	PTH	N	150	650	30	4.5	7.5	1.4	22	50	100	150	TO-220
HFP8N70U	PTH	N	150	700	30	4.5	7.5	1.6	22	50	100	150	TO-220
HFW8N65U	SMD	N	150	650	30	4.5	7.5	1.4	22	50	100	150	D2PAK
SRC7N65D1	PTH	N	69.5	700	30	4.5	7	0.572	18.9	13.1	474	150	TO-251
SRC7N65DTR	SMD	N	69.5	700	30	4.5	7	0.572	18.9	13.1	474	150	TO-252
SRC7N65TC	PTH	N	104.2	700	30	4.5	7	0.572	18.9	13.1	474	150	TO-220C
STD5N62K3	SMD	N	70	620	30	4.5	4.2	1.6	26	-	-	150	DPAK
STU5N62K3	PTH	N	70	620	30	4.5	4.2	1.6	26	-	-	150	IPAK