Транзистор STB60NF06T4
STB60NF06T4 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: D2PAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 110 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 60 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 60 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.016 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 49 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 108 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 360 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор STB60NF06T4 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| BUK768R3-60E |
SMD |
N |
137 |
60 |
20 |
4 |
75 |
0.0083 |
43.1 |
27 |
319 |
175 |
D2PAK |
| BUK7Y14-80E |
SMD |
N |
147 |
80 |
20 |
4 |
65 |
0.014 |
44.8 |
13.2 |
240 |
175 |
LFPAK56 |
| BUK7Y8R7-60E |
SMD |
N |
147 |
60 |
20 |
4 |
87 |
0.0087 |
46 |
16 |
310 |
175 |
LFPAK56 |
| IRF1018EPBF |
PTH |
N |
110 |
60 |
20 |
4 |
79 |
0.0084 |
46 |
35 |
270 |
175 |
TO-220AB |
| IRF1018ESLPBF |
PTH |
N |
110 |
60 |
20 |
4 |
79 |
0.0084 |
46 |
35 |
270 |
175 |
TO-262 |
| IRF1018ESPBF |
SMD |
N |
110 |
60 |
20 |
4 |
79 |
0.0084 |
46 |
35 |
270 |
175 |
TO-263 |
| PSMN7R6-60BS |
SMD |
N |
149 |
60 |
20 |
4 |
92 |
0.0078 |
38.7 |
21 |
342 |
175 |
D2PAK |
| PSMN8R7-80BS |
SMD |
N |
170 |
80 |
20 |
4 |
90 |
0.0087 |
44 |
26 |
296 |
175 |
D2PAK |
| STB60NF06-1 |
PTH |
N |
110 |
60 |
20 |
4 |
60 |
0.016 |
49 |
108 |
360 |
175 |
I2PAK |
| STD60NF06T4 |
SMD |
N |
110 |
60 |
20 |
4 |
60 |
0.016 |
49 |
108 |
360 |
175 |
DPAK |