Транзистор STB60NH02LT4
STB60NH02LT4 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-263
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 70 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 24 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 60 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0105 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 24 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 130 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 400 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор STB60NH02LT4 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| STD96N3LLH6 |
SMD |
N |
70 |
30 |
20 |
2.5 |
80 |
0.0042 |
20 |
91 |
400 |
175 |
DPAK |