Транзистор STB6N52K3
STB6N52K3 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: D2PAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 70 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 525 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 5 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 1.2 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 26 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор STB6N52K3 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| HFD8N60U |
SMD |
N |
98 |
600 |
30 |
4.5 |
6 |
1.2 |
22 |
50 |
100 |
150 |
DPAK |
| HFP8N60S |
PTH |
N |
147 |
600 |
30 |
4.5 |
7.5 |
1.2 |
22 |
61 |
105 |
150 |
TO-220 |
| HFP8N60U |
PTH |
N |
150 |
600 |
30 |
4.5 |
7.5 |
1.2 |
22 |
50 |
100 |
150 |
TO-220 |
| SRC7N65D1 |
PTH |
N |
69.5 |
700 |
30 |
4.5 |
7 |
0.572 |
18.9 |
13.1 |
474 |
150 |
TO-251 |
| SRC7N65DTR |
SMD |
N |
69.5 |
700 |
30 |
4.5 |
7 |
0.572 |
18.9 |
13.1 |
474 |
150 |
TO-252 |
| SRC7N65TC |
PTH |
N |
104.2 |
700 |
30 |
4.5 |
7 |
0.572 |
18.9 |
13.1 |
474 |
150 |
TO-220C |
| TK8P60W5 |
SMD |
N |
80 |
600 |
30 |
4.5 |
8 |
0.56 |
22 |
40 |
16 |
150 |
DPAK |