Транзистор STB6N65M2
STB6N65M2 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: D2PAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 60 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 650 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 25 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 4 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 1.35 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 9.8 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 7 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 12.8 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор STB6N65M2 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| STD6N65M2 |
SMD |
N |
60 |
650 |
25 |
4 |
4 |
1.35 |
9.8 |
7 |
12.8 |
150 |
DPAK |
| STU6N65M2 |
PTH |
N |
60 |
650 |
25 |
4 |
4 |
1.35 |
9.8 |
7 |
12.8 |
150 |
IPAK |