Транзистор STB75NH02LT4

STB75NH02LT4 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: D2PAK

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 80 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 24 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1.8 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 60 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.008 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 17 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 200 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 545 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц

Транзистор STB75NH02LT4 можно заменить на:

Нет элементов для замены