Транзистор STB80NF10T4
STB80NF10T4 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: D2PAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 300 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 80 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.015 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 135 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 80 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 700 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор STB80NF10T4 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AOB410L |
SMD |
N |
333 |
100 |
25 |
4 |
150 |
0.0062 |
107 |
22 |
594 |
175 |
TO-263 |
| AOT410L |
PTH |
N |
333 |
100 |
25 |
4 |
150 |
0.0065 |
107 |
22 |
594 |
175 |
TO-220 |
| AOW410 |
PTH |
N |
333 |
100 |
25 |
4 |
150 |
0.0065 |
107 |
22 |
594 |
175 |
TO-262 |
| IRF3610SPBF |
SMD |
N |
333 |
100 |
20 |
4 |
103 |
0.0116 |
100 |
55 |
690 |
175 |
TO-263 |